纯度远高于优级纯的试剂叫做高纯试剂。是在通用试剂基础上发展起来的，是为了专门的使用目的而用特殊方法生产的纯度的试剂。高纯试剂控制的是杂质项含量，基准试剂控制的是主含量，基准试剂可用标准溶液的配制，但高纯试剂不能用于标准溶液的配制（单质氧化物除外）。目前在国际上也无统一的明确规格，我国除对少数产品制定了标准外，大部分高纯试剂的质量标准还很不统一，在名称上也有高纯、超纯、特纯、光谱纯、电子纯等不同叫法。一般以 9 来表示产品的纯度。故在规格栏中标以 2 个 9 、 3 个 9 、 4 个 9 以此类推，根据这个原则可将高纯物质分为：
　　杂质总含量不大于1.5×10-2%，其纯度为3.5个9（ 99.95 ）简写为 3.5N
　　杂质总含量不大于1.0×10-2 %，其纯度为4个9（ 99.99 ）简写为 4.0N
　　杂质总含量不大于1.0×10-3%，其纯度为5个9（ 99.999 ）简写为 5N  
　　对高纯试剂或高纯元素纯度或杂质含量的检验，一般常用原子吸收光谱、原子发射光谱、色谱、质谱比色化学分析等方法进行测定。其阴离子规格原则上参照试剂优级标准，没有优级标准的产品由生产单位自行制定。根据用途不同，把高纯试剂又分成几大类：  
普通离纯试剂 ：
　　是指一些高纯单质金属、氧化物、金属盐类等，常用于原子能工业材料、电子工业材料、半导体基础材料等，金属单质的氧化物、用来配制标准溶液和作为标准物质，该类试剂常要求含量在 4N-6N 之间。 
超净电子纯试剂 ：
　　超净高纯试剂是集成电路（ IC ）制造工艺中的专用化学品，用于硅片清洗、光刻、腐蚀工序中。对这种高纯试剂中可溶性杂质和固态微粒要求非常严格，为适应 IC 集成度不断提高的需求，国际上半导体工业协会（ Semiconductor Industry Association ）近来推出 Semic7( 适合 0.8-1.2 微米工艺技术 ) 和 Semic8( 适合于 0.2-0.6 微米工艺技术 ) 级别的试剂质量标准。我国在原有 MOS 级、 BV-I 级试剂的基础上，又制定出 BV-II 级和 BV-III 级试剂标准（相当于 Semic7 ）。我研究所也研制多种 MOS 级、 BV-I 级 BV-II 级和部分 BV-III 级试剂，其颗粒度（ 0.5 微粒颗粒）≤ 25-100 个∕ ml ，金属杂质总量≤ 10 -3 — 10 - 5 ﹪  
光刻胶高纯试剂 ：
　　光刻工艺是一种表面加工技术，在半导体电子器件和集成电路制造中占有重要地位。为在表面实现选择性腐蚀，采用一类具有抗蚀作用的感光树脂材料作为抗蚀涂层，称为抗蚀剂，国内通称光刻胶。按照溶解度的不同而将光刻胶分为“正性”光刻胶和“负性”光刻胶，按所用曝光光源和辐射光源的不同，又可将其分为紫外、远紫外、电子束、 X 射线等光刻胶。
　　光刻胶是微细图形加工的一种关键试剂，要求水分低、金属杂质含量低（≤ 10 -6 ）
磨抛光高纯试剂 ：
　　是指用于硅单晶片表面的研磨和抛光的高纯度试剂。它又分磨粉（三氧化二铝）和磨液（水和油剂），能研磨表面达到微米级加工精度。这类试剂要求颗粒粒度小（纳米），纯度高，金属杂质一般要求 2.0 × 10 -4 — 5 × 10 -5 ﹪
液晶高纯试剂 ：
　　液晶是一类电子化学材料，是指在一定温度范围内呈现介于固相和液相之间的中间相的有机物。它既有液态的流动性也有晶态的各向异性，有时人称他为第四态。 
　　液晶种类繁多，用途广，前景的要属 TN( 低档 ) 、 STN （中）、 TFT （）型。 TN 、 STN 及TFT 三种型号所组成的单体液晶，主要包括芳香酯类、联苯类、苯基环已烷类、铁电类以及含氟液晶品等五种，它们是当今及今后使用及发展的主要对象。这类高纯试剂要求含量高（≥ 99 ﹪），水分含量低（≤ 10 -6 ），金属杂质含量少（≤ 10 -6 ）。
　　借助液晶独特的光、电子特性可以用于检查飞机、人选卫星等装置上的缺陷，在医学上用来诊断癌症、结核等病症。